研制装备实现国产化，湖南半导体技术攻关取得突破

报道称，“第三代半导体核心装备国产化关键技术攻关”项目由中国电子科技集团公司第四十八研究所承担。项目突破了6英寸SiC（碳化硅）外延生长设备和高温高能离子注入机的工艺性能、产能、稳定性、可靠性提升等关键技术。

该项目实现了6英寸SiC外延生长设备、SiC高温高能离子注入机国产化与工程化，设备满足规模化量产工艺要求，并具备产业化应用能力。据悉，研制设备已成功在国内第三代半导体头部用户上线应用。

“8英寸集成电路成套装备”项目由中国电子科技集团公司第四十八研究所和湖南楚微半导体科技有限公司共同承担。项目通过国产装备、工艺和产品协同创新，突破了立式炉管、硅外延设备等关键技术攻关，完成了工艺验证，并实现了产业化生产。

目前，该项目已完成43台（套）国产核心工艺装备上线验证，整线工艺装备国产化率达95%，目前生产线已达到2万片/月生产能力，芯片良品率达98%。

（来源：全球半导体行业观察）

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